产学研协同发力，红外晶体光学元件打破国外专利壁垒

 近日，由国内高校、科研院所与光学企业联合攻关的 “大尺寸硫化锌（ZnS）红外晶体加工技术” 通过验收，该技术突破了国外在红外光学元件领域的多项专利壁垒，使我国在中红外制导、红外热成像等领域的核心元件国产化率提升至 70%。
红外晶体元件是高端红外设备的 “心脏”，其性能直接决定设备的探测距离与成像清晰度。此前，大尺寸 ZnS 晶体因 “生长周期长（＞180 天）、易出现内部气泡” 等问题，长期依赖进口，且单价高达数万元 / 片。此次联合研发团队通过改良 “化学气相沉积法”，将晶体生长周期缩短至 90 天，气泡率控制在 0.1 个 /cm³ 以下，加工精度达 λ/10（λ=10.6μm）。
业内专家表示，产学研协同模式正在重塑光学元件行业的创新生态 —— 高校提供基础研究支撑，企业负责工艺转化与量产落地，这种 “1+1＞2” 的合作模式，将加速更多高端光学技术从实验室走向产业应用。
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